1.涂層設(shè)備泄漏檢查的原因

太陽能單晶和多晶電池片在生產(chǎn)過程中應(yīng)用PECVD沉積 Si3N3.設(shè)備需要在4-5天內(nèi)進(jìn)行維護(hù)（清潔）MASK,更換支架等。)，因?yàn)樗乔鍧嵲O(shè)備的內(nèi)部，所以失效的可能性. 如果涂層設(shè)備的密封性不好，涂層產(chǎn)品的膜厚會(huì)不均勻，產(chǎn)品周圍的膜參數(shù)會(huì)不合格.

涂層設(shè)備維護(hù)完成后，可進(jìn)行泄漏檢查，避免產(chǎn)生許多不合格產(chǎn)品，達(dá)到節(jié)約生產(chǎn)成本的目的.

二、二裝設(shè)備氨質(zhì)譜檢漏

1.啟動(dòng)氨質(zhì)檢漏儀，然后將檢漏儀內(nèi)部的檢漏方法設(shè)置為停止不放氣。

2.按停止鍵，使檢漏儀處于待機(jī)狀態(tài)。

3.通過波紋管將泄漏檢測器的泄漏檢測口與真空爐或涂層機(jī)連接，并在波紋管一端增加真空手動(dòng)擋板閥。

4.打開真空爐或涂層機(jī)本身的抽空系統(tǒng)，然后打開連接泄漏檢測器的高真空手動(dòng)擋板閥。真空爐或涂層機(jī)的真空度為200Pa以下是真空度相對(duì)穩(wěn)定后。

5.按下檢漏儀的‘開始’鍵，讓檢漏儀進(jìn)入檢漏狀態(tài)。

6.檢漏儀顯示的漏率值相對(duì)穩(wěn)定后，可噴氨檢漏真空爐或鍍膜機(jī)的可疑漏點(diǎn)。

7.檢漏后，先關(guān)閉高真空手動(dòng)擋板閥，再按下檢漏儀的停止鍵，使檢漏儀處于待機(jī)狀態(tài)。

8.最后關(guān)閉真空爐或鍍膜機(jī)的抽空系統(tǒng)。

9.拆除與真空爐或涂層機(jī)連接的波紋管。關(guān)閉檢漏儀的電源。

三：可能出現(xiàn)的問題：

1.檢漏儀未設(shè)置停止不放氣，當(dāng)檢漏儀停止時(shí)，會(huì)對(duì)真空爐或鍍膜機(jī)的真空系統(tǒng)產(chǎn)生大氣沖擊，容易損壞真空器件。

2.真空爐或涂層機(jī)內(nèi)部的復(fù)雜結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致檢漏儀的底值較高，使小漏孔難以檢測。

3.如果真空爐或涂層機(jī)中有潤滑油或冷凝水等吸附氣體的物質(zhì)，則噴入的氨會(huì)被吸附，泄漏檢測器無法檢測到氨。